Х. ЛОХНИ. Активные антенны Е-поля. Часть 6. Транзисторы структуры MOSFET в схеме с общим стоком.

В этом разделе приводится описание АА, у которых входной транзистор включён по схеме истокового повторителя (общий сток). Несмотря на больший уровень шума по сравнению со схемой с общим истоком, по другим параметрам получается выигрыш в сторону линейности при высоком уровне сигналов и помех. Предложенные схемотехнические решения на современных элементах, а также и на компонентах 1970-х годов показали превосходный радиоприём в сложных условиях. Предлагается широкий спектр схемных решений для решения различных эксплуатационных задач.