Погода

Курсы валют

Аннотация статьи

М. ШУСТОВ. Аналоги тринисторов с полевыми транзисторами.

В 1956 г. в США была опубликована статья, в которой впервые описан тринистор — четырёхслойный полупроводниковый прибор с управляемой S-образной вольт-амперной характеристикой. С тех пор ассортимент тринисторных и симисторных структур значительно расширился, но в результате естественного отбора преимущественное распространение получили тринисторы классической структуры. Наряду с неоспоримыми достоинствами, у тринисторов выявились и недостатки: низкое входное сопротивление, неудовлетворительные частотные свойства, значительное падение напряжения на открытом приборе и др. Проблема низкого входного сопротивления была решена созданием в 1981—1984 гг. тринисторов, представляющих собой комбинацию полевого, в том числе с изолированным затвором транзистора, и обычного тринисторов. Ниже приведено несколько схем тринистороподобных структур, построенных с использованием полевых транзисторов с изолированным затвором. Далеко не все они идеальны, но при дальнейшем совершенствовании могут послужить основой для создания тринисторов, обладающих улучшенными свойствами.


Вернуться назад.

Декабрь 

 нажав на этот знак, можно посмотреть краткое описание статьи.
 нажав на этот знак, можно скачать статью (PDF).
Для просмотра статей в формате PDF необходимо установить Adobe Acrobat Reader, который можно скачать с сайта www.adobe.com.