| «Радио» >> 2006 >>Ноябрь | ||
|
А. Кавыев. Светодиод — фотодатчик. Хорошо известно, что кванты оптического излучения, проникая в зону p-n перехода полупроводникового прибора, производят два эффекта. Во-первых, под их воздействием резко снижается обратное сопротивление перехода, во-вторых, между областями кристалла с p- и n-проводимостью образуется разность потенциалов, так называемая фотоЭДС. Второй эффект (фотовольтаический) широко используется для создания экологически чистых источников электроэнергии — солнечных батарей. Но присущ такой эффект любым полупроводниковым приборам с p-n переходами, в том числе светодиодам. Этим и воспользовался автор предлагаемой статьи в своих разработках. Предложены два устройства, в которых датчиком освещенности служат светодиоды красного цвета свечения АЛ307БМ. Первое — фотореле на четырех транзисторах (2 х КТ3102Е, КТ3107Л, КП501А) и электромагнитном реле РЭС10. Ток, потребляемый от источника питания (6…12 В) в дежурном режиме не превышает 0,2 мА. Второе устройство — автоматический выключатель наружного освещения, выполненный на микросхеме К561ЛА7 и шести транзисторах (3 х КТ3102Е, ГТ309Г, 2 х КТ315Б). Фотодатчик — два соединенных параллельно светодиода АЛ307БМ, исполнительный узел собран на двух тринисторах КУ202Л. Даны чертежи печатных плат обоих устройств.
.
|